IRF3205PBF
N沟道功率MOSFET，55V/110A，用于开关电源。
- 封装
- TO-220
产品示意图，仅供选型参考
CSD88599Q5DC
双 N 沟道功率 MOSFET，用于同步降压转换电路。
- 商品编码
- DH46ABF8DA
- 品牌
- TI/德州仪器
- 封装
- VSON-CLIP-8
- 包装
- —
- 产品分类
- 分立器件
- 重量
- —
数据手册暂未取得可靠的原厂规格书链接
DESCRIPTION
产品描述
Product Overview
产品概述
CSD88599Q5DC 是德州仪器推出的双 N 沟道功率 MOSFET，采用 VSON-CLIP-8 封装。器件将两个功率 MOSFET 集成在同一封装内，适合用于同步降压转换器中的高侧与低侧开关组合，有助于减少占板面积并简化功率级布局。其封装结构针对功率密度和散热进行设计，常用于电源转换、负载点供电及电机驱动等场合。具体耐压、导通电阻和电流能力需以原厂数据手册为准，选型时应结合实际工作条件核对热设计与驱动参数。
Applications
应用领域
- 用于同步降压转换器的功率开关级。
- 用于负载点电源的功率转换电路。
- 用于电机驱动电路中的功率开关。
- 用于需要双 MOSFET 集成的紧凑电源设计。
Features and Benefits
特性与优势
- 同一封装集成两个 N 沟道功率 MOSFET。
- 封装针对功率密度与散热设计。
- 有助于减少占板面积并简化布局。
- 具体电气参数需查阅原厂数据手册。
Additional Details
补充说明
采购时请核对封装形式与丝印标识，确认器件为双 N 沟道功率 MOSFET 且封装为 VSON-CLIP-8。建议索取原厂数据手册以验证耐压、电流和导通电阻是否满足功率级要求，并关注防静电包装与回流焊条件。
正式采购前，请以原厂数据手册核对产品信息。
REQUEST A QUOTE
询价 CSD88599Q5DC
提交预计数量和联系方式，我们会根据品牌、批次与交期提供人工报价。
+86 19065141374周一至周六 09:00—18:00