IRF3205PBF
N沟道功率MOSFET,55V/110A,用于开关电源。
- 封装
- TO-220
产品示意图,仅供选型参考
双通道瞬态电压抑制二极管阵列,用于电路瞬态过压保护。
UMW/友台半导体 DT1042-04SO-7 是一款双通道瞬态电压抑制二极管阵列。该器件用于吸收电路中的瞬态过压能量,保护敏感电子元件免受静电放电或电压尖峰损坏。其双通道结构可同时保护两条信号线或电源线,适用于通信接口、数据线路等需要过压保护的场合。封装为 SOT-23-6,适合高密度表面贴装。本资料未提供原厂击穿电压和钳位电压等参数,具体性能请以原厂数据手册为准。
采购时请核对原厂数据手册中的反向关断电压、击穿电压和钳位电压,确保与被保护线路的工作电压和耐受水平匹配。注意封装为 SOT-23-6,需确认引脚定义与电路设计一致。
正式采购前,请以原厂数据手册核对产品信息。
提交预计数量和联系方式,我们会根据品牌、批次与交期提供人工报价。