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产品示意图,仅供选型参考
P沟道功率MOSFET,用于负载开关
该产品为P沟道增强型功率MOSFET,采用OptiMOS工艺,具有低导通电阻和优良的开关性能,适用于电源管理、电池保护和电源转换等消费及工业应用。
具体额定值和性能参数未提供,请参考原厂技术文档获取完整信息。
正式采购前,请以原厂数据手册核对产品信息。
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N沟道功率MOSFET,55V/110A,用于开关电源。
ESD保护二极管,用于静电放电防护。
双路TVS二极管,用于ESD过压保护。
双路TVS二极管,用于静电放电保护。
P沟道MOSFET,低压开关应用
N沟道MOSFET,小信号开关
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