产品示意图,仅供选型参考

IPZ40N04S5L-7R4

N 沟道功率 MOSFET,用于电源开关与负载控制。

商品编码
DH7F016716
品牌
Infineon/英飞凌
封装
PG-TO252
包装
—
产品分类
分立器件
重量
—
数据手册暂未取得可靠的原厂规格书链接
DESCRIPTION

产品描述

Product Overview

产品概述

IPZ40N04S5L-7R4 是英飞凌的 N 沟道功率 MOSFET,属于分立器件中的功率开关管。它通过栅极电压控制漏源之间的导通与关断,用于电源转换、负载开关和电机驱动等场合。该器件采用表面贴装功率封装,适合需要散热与低导通损耗的电路设计。具体耐压、导通电阻和电流能力请以原厂数据手册为准,采购时需核对具体版本。

Applications

应用领域

  • 用于直流电源转换电路中的功率开关。
  • 用于负载开关和电源通断控制。
  • 用于电机驱动和电池供电设备的功率级。
Features and Benefits

特性与优势

  • N 沟道结构,适合低侧开关与同步整流。
  • 功率封装有利于散热,适合一定功率场合。
  • 栅极电压控制,驱动电路相对简单。
  • 表面贴装形式,便于自动化生产。
Additional Details

补充说明

采购时请核对漏源耐压、导通电阻、电流能力和封装版本,并确认后缀与数据手册一致。建议通过原厂或授权渠道获取数据手册,避免因版本差异导致参数不符。

正式采购前,请以原厂数据手册核对产品信息。

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