产品示意图,仅供选型参考

IRF9310TRPBF

P 沟道功率 MOSFET,用于电源开关与负载控制。

商品编码
DH5EA11DF1
品牌
Infineon/英飞凌
封装
SO-8
包装
—
产品分类
分立器件
重量
—
数据手册暂未取得可靠的原厂规格书链接
DESCRIPTION

产品描述

Product Overview

产品概述

IRF9310TRPBF 是英飞凌推出的 P 沟道功率 MOSFET,采用表面贴装封装,适用于低压侧的电源开关与负载控制。其定位为分立功率开关器件,常用于电池供电设备、负载切换和电源管理电路中,通过栅极电压控制漏极与源极之间的导通与关断。器件适合在空间受限的电路板上使用,便于实现高效的电源通断控制。实际电气参数和热性能需以原厂数据手册为准。

Applications

应用领域

  • 用于电池供电设备中的电源通断控制。
  • 用于负载开关电路,控制外围负载的供电。
  • 用于电源管理模块中的功率开关级。
  • 用于便携式电子产品中的低压开关电路。
Features and Benefits

特性与优势

  • P 沟道结构,便于实现低侧或高侧开关控制。
  • 表面贴装封装,适合紧凑型电路板布局。
  • 用于电源开关与负载控制,简化电路设计。
  • 属于分立功率器件,便于按需选型和替换。
Additional Details

补充说明

采购时应确认封装形式、引脚定义及卷带包装规格,具体耐压与电流能力以原厂数据手册为准。

正式采购前,请以原厂数据手册核对产品信息。

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