IRF3205PBF
N沟道功率MOSFET，55V/110A，用于开关电源。
- 封装
- TO-220
产品示意图，仅供选型参考
NTK3139PT1G
P 沟道 MOSFET，用于开关和功率管理电路。
- 商品编码
- DHCD18098F
- 品牌
- onsemi/安森美
- 封装
- SOT-23
- 包装
- —
- 产品分类
- 分立器件
- 重量
- —
数据手册暂未取得可靠的原厂规格书链接
DESCRIPTION
产品描述
Product Overview
产品概述
NTK3139PT1G 是 onsemi 公司的一款 P 沟道 MOSFET。该器件属于分立半导体器件，常用于电源开关、负载切换和功率管理电路中。P 沟道 MOSFET 的特点使其适合在高侧开关配置中使用，通过栅极电压控制漏源之间的导通与关断。该器件采用 SOT-23 封装，适用于空间受限的表面贴装应用。由于未提供原厂资料，本条目不涉及具体的电压、电流、导通电阻等参数。
Applications
应用领域
- 用于电源开关和高侧负载切换。
- 用于电池供电设备的功率管理。
- 用于 DC-DC 转换器中的开关元件。
- 用于电机驱动和继电器替代电路。
Features and Benefits
特性与优势
- P 沟道 MOSFET，适合高侧开关应用。
- SOT-23 封装，节省电路板空间。
- 用于功率管理和负载切换。
- 具体电气参数需参考原厂数据手册。
Additional Details
补充说明
采购时请核对原厂数据手册以确认耐压、电流和导通电阻等参数。注意封装标记和批次信息，确保与设计匹配。
正式采购前，请以原厂数据手册核对产品信息。
REQUEST A QUOTE
询价 NTK3139PT1G
提交预计数量和联系方式，我们会根据品牌、批次与交期提供人工报价。
+86 19065141374周一至周六 09:00—18:00