电子元器件一站式选型与供应服务
产品示意图,仅供选型参考
ESD保护二极管,防静电放电,用于接口保护。
该产品是 TI 的 PESD5V0V1BLD-QYL,为双向 TVS 二极管,用于保护电子设备免受静电放电损坏。
具体电气参数如工作电压和钳位电压未提供。
正式采购前,请以原厂数据手册核对产品信息。
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N沟道功率MOSFET,55V/110A,用于开关电源。
ESD保护二极管,用于静电放电防护。
双路TVS二极管,用于ESD过压保护。
双路TVS二极管,用于静电放电保护。
P沟道MOSFET,低压开关应用
N沟道MOSFET,小信号开关
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