产品示意图,仅供选型参考

SI7315DN-T1-GE3

P 沟道功率 MOSFET,用于电源开关与负载驱动。

商品编码
DH01C1DB71
品牌
Vishay/威世
封装
PowerPAK 1212-8
包装
—
产品分类
分立器件
重量
—
数据手册暂未取得可靠的原厂规格书链接
DESCRIPTION

产品描述

Product Overview

产品概述

这是 Vishay 推出的 P 沟道功率 MOSFET,采用 PowerPAK 1212-8 封装。器件用于低压侧或高压侧开关场景,通过栅极控制漏极与源极之间的导通状态。常见于便携设备与电源管理电路中,用于负载切换、反向极性保护或电源通断控制。其封装形式有助于在有限板面内实现功率器件的贴装。具体电气参数需以原厂数据手册为准。

Applications

应用领域

  • 便携设备中的负载开关控制。
  • 电源通断与反向极性保护电路。
  • 低压直流电机或继电器的驱动切换。
Features and Benefits

特性与优势

  • P 沟道结构便于高压侧开关。
  • PowerPAK 封装适合表面贴装。
  • 用于电源管理与负载切换。
  • 封装尺寸有助于节省板面空间。
Additional Details

补充说明

采购时请核对封装为 PowerPAK 1212-8,确认是否含铅或符合 RoHS 要求。具体导通电阻、击穿电压与电流能力需以原厂数据手册为准,不同批次参数可能略有差异。

正式采购前,请以原厂数据手册核对产品信息。

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