产品示意图,仅供选型参考

SIB452DK-T1-GE3

N 沟道与 P 沟道组合的功率 MOSFET,用于电源转换与负载开关。

商品编码
DH4EB76803
品牌
Vishay/威世
封装
PowerPAK SC-70
包装
—
产品分类
分立器件
重量
—
数据手册暂未取得可靠的原厂规格书链接
DESCRIPTION

产品描述

Product Overview

产品概述

该器件属于 Vishay 推出的功率 MOSFET 产品,采用双管集成的形式,将 N 沟道与 P 沟道 MOSFET 集成在同一封装内。此类器件通常用于低压电源管理电路中的负载开关、电源切换和电机驱动等场合,能够在微控制器或驱动电路的控制下实现对负载通断的控制。集成化结构有助于减少外部元件数量,适合空间受限的便携设备与工业电子产品。

Applications

应用领域

  • 用于便携设备电源管理中的负载开关控制。
  • 用于电池供电电路中的电源通断切换。
  • 用于小型电机或继电器的驱动控制。
  • 用于双电源或多电源切换电路。
Features and Benefits

特性与优势

  • 集成 N 沟道与 P 沟道 MOSFET,减少元件数量。
  • 小型封装有利于压缩电路板占用面积。
  • 适合低电压信号控制负载的通断。
  • 可用于电源切换和负载开关等通用场合。
Additional Details

补充说明

采购前请核对实际所需的导通电阻、耐压和电流等参数是否满足电路要求,并以原厂数据手册为准确认封装尺寸与引脚定义。

正式采购前,请以原厂数据手册核对产品信息。

REQUEST A QUOTE

询价 SIB452DK-T1-GE3

提交预计数量和联系方式,我们会根据品牌、批次与交期提供人工报价。

+86 19065141374周一至周六 09:00—18:00

提交后将自动发送给客服邮箱。