IRF3205PBF
N沟道功率MOSFET，55V/110A，用于开关电源。
- 封装
- TO-220
产品示意图，仅供选型参考
TVS4201MR6T1G
瞬态电压抑制二极管，用于电路过压瞬态防护。
- 商品编码
- DHF9C0B4C3
- 品牌
- onsemi/安森美
- 封装
- SOT-23
- 包装
- —
- 产品分类
- 分立器件
- 重量
- —
数据手册暂未取得可靠的原厂规格书链接
DESCRIPTION
产品描述
Product Overview
产品概述
TVS4201MR6T1G 是安森美推出的瞬态电压抑制二极管（TVS），采用小型表面贴装封装。TVS 器件在电压超过击穿阈值时迅速导通，将瞬态能量钳位或泄放，用于保护下游电路免受浪涌、静电放电等过压事件影响。适用于通信接口、电源线和敏感芯片的防护。具体击穿电压、钳位电压和峰值功率需以原厂数据手册为准，本资料未做参数确认。
Applications
应用领域
- 用于通信接口的浪涌与瞬态过压防护。
- 用于电源输入端的瞬态电压抑制。
- 用于敏感芯片外围的过压保护设计。
Features and Benefits
特性与优势
- TVS 结构可在过压时快速响应，抑制瞬态尖峰。
- 小型表面贴装封装，适合紧凑型电路布局。
- 用于吸收浪涌与静电能量，降低下游器件受损风险。
Additional Details
补充说明
采购时请核对完整型号与封装，并查阅原厂数据手册中的击穿电压与钳位能力，确认与目标线路匹配。本条目未列具体电气数值，选型前应查阅安森美正式资料。
正式采购前，请以原厂数据手册核对产品信息。
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