IRF3205PBF
N沟道功率MOSFET，55V/110A，用于开关电源。
- 封装
- TO-220
产品示意图，仅供选型参考
IPB042N10N3G
英飞凌 N 沟道功率 MOSFET，用于开关与功率转换电路。
- 商品编码
- DH23C05C99
- 品牌
- Infineon/英飞凌
- 封装
- PG-TO263-3
- 包装
- —
- 产品分类
- 分立器件
- 重量
- —
数据手册暂未取得可靠的原厂规格书链接
DESCRIPTION
产品描述
Product Overview
产品概述
该器件为英飞凌 N 沟道功率 MOSFET，采用 PG-TO263-3 表面贴装封装，适用于开关电源、电机驱动和负载开关等功率转换场合。功率 MOSFET 通过栅极电压控制导通与关断，可在电路中实现高效电能切换。由于未提供原厂数据手册，具体耐压、导通电阻、电流能力和栅极电荷等参数无法确认，采购和设计时应以原厂正式资料为准。
Applications
应用领域
- 用于开关电源的功率开关级。
- 用于电机驱动电路中的功率切换。
- 用于负载开关与电源分配控制。
- 用于直流-直流转换器的功率级。
Features and Benefits
特性与优势
- N 沟道增强型结构，适合低边开关应用。
- 表面贴装封装，便于自动化贴片生产。
- 可用于高频开关场合，支持功率转换。
- 低导通电阻特性有助于降低导通损耗。
Additional Details
补充说明
采购时请确认封装、耐压等级、电流等级及是否为原厂或授权渠道货源；具体电气参数需以原厂数据手册为准。
正式采购前，请以原厂数据手册核对产品信息。
REQUEST A QUOTE
询价 IPB042N10N3G
提交预计数量和联系方式，我们会根据品牌、批次与交期提供人工报价。
+86 19065141374周一至周六 09:00—18:00