IRF3205PBF
N沟道功率MOSFET，55V/110A，用于开关电源。
- 封装
- TO-220
产品示意图，仅供选型参考
ISC018N08NM6
英飞凌 N 沟道 MOSFET，采用 OptiMOS 6 技术，用于电源开关与转
- 商品编码
- DH52C5485C
- 品牌
- Infineon/英飞凌
- 封装
- PG-TSDSON-8
- 包装
- —
- 产品分类
- 分立器件
- 重量
- —
数据手册暂未取得可靠的原厂规格书链接
DESCRIPTION
产品描述
Product Overview
产品概述
ISC018N08NM6 是英飞凌推出的 N 沟道功率 MOSFET，属于 OptiMOS 6 系列产品。该器件采用先进的沟槽栅技术，具有较低的导通电阻和栅极电荷，适用于高频开关和高效电源转换。其常见封装为 PG-TSDSON-8，适合表面贴装，可应用于同步整流、负载点转换器、电机驱动以及各类电源管理电路。使用时应参考原厂数据手册确认漏源电压、电流、导通电阻等具体参数，并根据实际电路条件进行散热设计。该型号不含原厂提供的认证或性能承诺信息。
Applications
应用领域
- 用于开关电源中的功率转换和同步整流。
- 用于 DC-DC 转换器的负载点电源管理。
- 用于电机驱动电路的功率开关。
- 用于电池供电设备的电源开关控制。
Features and Benefits
特性与优势
- 采用 OptiMOS 6 技术，有助于降低导通损耗。
- 低栅极电荷特性，适合高频开关应用。
- 表面贴装封装，便于自动化生产。
- 适用于高效电源转换设计。
Additional Details
补充说明
采购时请核对原厂数据手册中的漏源电压、连续漏极电流、导通电阻及热阻等参数。确认封装为 PG-TSDSON-8 或等效规格，并注意防静电包装和存储条件。
正式采购前，请以原厂数据手册核对产品信息。
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